三星、台积电3nm良品率仅约50%，或将引起系列问题
尽管三星电子和台积电正在努力提高3nm工艺制程的星台良率，但目前来看可能良品率的积电将引问题仍未彻底解决，而这不仅可能会造成性能问题的良品率仅列问风险，让消费者被迫承担风险支付更高价格，约或或许也会影响到未来的起系订单竞争。
虽然目前三星已经向中国交付了一批3nm GAA（环绕式栅极工艺）芯片，星台但新的积电将引报道显示这些芯片的真实形式并不完整，缺乏逻辑芯片中的良品率仅列问SRAM，虽然3nm GAA优于FinFET（鳍式场效应晶体管），约或但也更难生产，起系目前良率只有约50%。星台有业内人士透露，积电将引“要赢得高通等大客户明年的良品率仅列问3nm移动芯片订单，良品率至少需要提高70%以上。约或”
生产3nm芯片的三星韩国华城工厂
事实上如果产量良率及产量不能提升，而高通又不得不被迫支付所有晶圆的费用，那么高通骁龙芯片的价格必然存在水涨船高的风险，这就会导致其智能手机合作伙伴和消费者承担后续的一系列结果，反过来促使高通转而选择台积电，这就形成了一个恶性循环。
台积电这边的情况也不容乐观，作为目前为数不多拥有3nm工艺制程芯片量产记录的公司，台积电3nm工艺制程芯片同样存在良率未能达标的问题，有业内人士表示，台积电3nm工艺制程芯片采用了与上一代相同的FinFET结构，这可能是其“未能控制”过热问题的原因，台积电计划在明年量产N3E、N3P、N3X、N3AE等提高良品率降低成本。
除此之外，还有半导体业内人士透露，三星、台积电和英特尔也都在积极准备发展2nm工艺，但与3nm相比，其性能和效率提升并不明显，因此3nm工艺芯片的需求或许还将继续持续，想要跳过3nm可能性不高。
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